面板光刻胶

光刻胶是LCD面板制造的关键材料，根据使用对象的不同，又可分为RGB胶、BM胶、OC胶、PS胶、TFT胶等半导体之光刻胶。

面板光刻胶主要包括TFT配线用光刻胶、LCD/TP衬垫料光刻胶、彩色光刻胶及黑色光刻胶四大类别。其中TFT配线用光刻胶用于对ITO布线，LCD/TP沉淀料光刻胶用于使LCD两个玻璃基板间的液晶材料厚度保持恒定。彩色光刻胶及黑色光刻胶可赋予彩色滤光片显色功能。

半导体光刻胶

目前，KrF/ArF仍是主流的加工材料。光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线（436nm）光刻，H线（405nm）光刻，I线（365nm）光刻，到深紫外线DUV光刻（KrF248nm和ArF193nm）、193nm浸没式加多重成像技术（32nm-7nm），在到极端紫外线（EUV，＜13.5nm）光刻的发展，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），以相应波长为感光波长的各类光刻胶也应用而生。

碳基芯片不需要光刻机那光刻胶还需要吗？

可以肯定的是，碳基芯片是不需要光刻机的，所以也不会使用光刻胶，要不然彭练矛和张志勇教授花费这么大精力研发的碳基芯片还是要依赖光刻机的话，那么它的使用价值并不高，毕竟在光刻机的研发上面，我们和ASML的差距还是很大的，那么想要弯道超车就必须摆脱光刻机的控制。

普通芯片的制作工艺传统芯片的制造过程需要经过是通过抛光、光刻、蚀刻、离子注入等一系列复杂的工艺过程。也就是先用激光将电路刻在掩盖板上（相当于我们印刷的转印技术），再通过用紫光通过掩盖版将电路印在硅片上进行曝光，涂上光刻胶等刻蚀后就能在硅圆上制造出数亿的晶体管，最后进行封装测试，芯片就制作完成。而这个过程是无法离开光刻机和刻蚀机的。

碳基芯片的制作工艺而碳基半导体芯片用到的是碳纳米管，碳纳米管的制备过程跟硅基晶体管的制备方法有着本质的差别，碳纳米管的主要原料是石墨，目前生产工艺可以通过电弧放电法、激光烧蚀法等多种方式制成。所以碳基集成电路的加工一定不会用到光刻机。

弯道超车还需要多久无论是手机的处理器CPU，还是其他的各种微电路芯片，我国在生产工艺和制造设备中，都要落后国际水平，短时间难以超越。但是碳基半导体的成功研发，可以让我国在芯片领域中实现弯道超车，成为国际的先进水平，彭练矛教授表示：

“碳纳米管的制造乃至商用，面临最大的问题还是决心，国家的决心。若国家拿出支持传统集成电路技术的支持力度，加上产业界全力支持，3-5年应当能有商业碳基芯片出现，10年以内碳基芯片开始进入高端、主流应用。”根据已公开的信息（碳基的一些优势在此省去不说了），碳基芯片是半导体产业的方向之一，但不能确定就是技术发展的唯一必然方向。不过，业界确实可以从最简单的商业应用开始尝试做起，从简单到复杂，从低端到高端，从小范围到大范围，从专业特定领域到全范围推广。

总结相信在不久的时间，通过各个国内厂商的适配和研发，我国的碳基芯片能重新成为世界领先，摆脱被光刻机和光刻胶卡脖子的状态。抢占碳基芯片产业的控制权。

芯片原材料紧缺！芯片业疯抢的光刻胶，国产玩家能分几杯羹？

光刻胶实际上也是分好多种，哪怕是单指做芯片的光刻胶，也因为芯片尺寸不同，还可以细分成许多种。

在光刻胶领域内，和其他半导体材料一样，低档的基本上完成了国产化，但高端产品上就和芯片的高端产品一样，天天媒体上都是突破，但一看市场份额就找不到了。

我还是比较认同证券公司的数据，毕竟是要忽悠人去投资，总要拿出些干货才能让人相信嘛！以下是从某证券公司2021年初的研究报告中总结出来的冰山一角：

PCB光刻胶的国产化率是46%；面板光刻胶的国产化率是10%；芯片光刻胶的国产化率是不足5%。呵呵，是不是很意外？这个芯片光刻胶可是从500纳米以上至7纳米全包括的数据哦！也就是说，不要说什么14纳米/7纳米了，哪怕是250纳米/130纳米的芯片生产，绝大多数用的光刻胶也不是国产货！在芯片用光刻胶领域内，实际情况可能也就如此了。

现在国内光刻胶真正玩得最好的，可能就是北京科华微了，它现在能做到130纳米芯片用光刻胶量产，能挣钱的那种量产，从500纳米以上到130纳米芯片都可以挣钱的量产了。

至于其他国内研发芯片光刻胶的公司，基本上都处于在媒体上发表“突破”的阶段，这些公司的新闻报道多是用“研发”、“验证”、“验收”、“产能建设”等等振奋人心的描述，但也就止步于此，还没有一家能够从这些重大“突破”中挣到钱！

我想，我已经把你问的问题，回答得很清楚了。不放心，可以自己去找一份证券公司的研究报告来看，忽悠人投资的东西，我一直认为是最靠谱的东西，比专家靠谱！