8N60T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用平面VDMOS工艺技术制造场效应管参数。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该管可广泛应用于AC-D……...